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SRAM行业发展趋势

2020-02-04 10:31:07

随着处理器日趋强大,尺寸越发小型。更加强大的处理器需要缓存进行相应的改进。与此同时每一个新的工艺节点让增加嵌入式缓存变得艰巨起来。SRAM拥有一个6晶体管架构(逻辑区通常包含4个晶体管/单元)。这便意味着随着工艺节点不断缩小,每平方厘米上的晶体管的数量将会非常多。这种极高的晶体管密度会造成很多问题,其中包括:





图:SER:软错误率;Processnode:工艺节点soft:软错误
 
更易出现软错误:工艺节点从130nm缩小到22nm后,软错误率预计将增加7倍。
 
更低的成品率:由于位单元随着晶体管密度的增加而缩小,SRAM区域更容易因工艺变化出现缺陷。这些缺陷将降低处理器芯片的总成品率。
 
更高的功耗:如果SRAM的位单元必需与逻辑位单元的大小相同,那么SRAM的晶体管就必须小于逻辑晶体管。较小的晶体管会导致泄露电流升高,从而增加待机功耗。
 
另一个技术发展趋势是可穿戴电子产品的出现。对于智能手表、健身手环等可穿戴设备而言,尺寸和功耗是关键因素。由于电路板的空间有限,MCU必须做得很小,而且必须能够使用便携式电池提供的微小电量运行。
 
片上缓存难以满足上述要求。未来的可穿戴设备将会拥有更多功能。因此片上缓存将无法满足要求,对外置缓存的需求将会升高。在所有存储器选项中,SRAM最适合被用作外置缓存,因为它们的待机电流小于DRAM,存取速度高于DRAM和闪存。我司英尚微电子提供不同容量的SRAM芯片,并代理VTI产品

VTI部分SRAM芯片型号如下:

Density Organization Part NO. Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package Packing Status
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 104 SQI C,I 8-SOIC Tube,T&R MP
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC Tube,T&R MP
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3.0 104 SQI C,I 8-SOIC Tube,T&R MP
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3.0 20 SPI C,I 8-SOIC Tube,T&R MP
 
 
本文关键词: SRAM

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深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

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