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MR25H40非易失性串行接口MRAM

2020-02-26 10:22:24

Everspin 是设计,制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋传递扭矩MRAM(STT-MRAM)的全球领导者,其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品,为全球MRAM用户奠定了最强大,增长最快的基础。
 
MR25H40是4,194,304位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备系列,组织为524,288个8位字。 对于必须使用少量I / O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序,它们是理想的内存解决方案。 它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序,没有写延迟,并且读/写寿命不受限制。 与其他串行存储器不同,使用MR2xH40系列,读取和写入都可以在内存中随机发生,而写入之间没有延迟。
 
MR25H40系列可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。 MR20H40(50MHz)提供工业温度范围(-40°至+85°C)。 MR25H40(40MHz)具有工业(-40°至+85°C),扩展(-40至105°C)和AEC-Q100 1级(-40°C至+125°C)工作温度范围 选项。两者均采用5 x 6mm,8引脚DFN封装。 该引脚与串行SRAM,EEPROM,闪存和FeRAM产品兼容。我司英尚微电子EVERSPIN代理,提供各种容量大小的MRAM芯片,提供样品及技术支持。


Everspin MR25H40系列
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V Industrial
4Mb 512Kx8 MR25H40CDCR 8-DFN 3.3v Industrial
4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial
4Mb 512Kx8 MR25H40CDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1
4Mb 512Kx8 MR25H40MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1
4Mb 512Kx8 MR25H40VDF 8-DFN sf 3.3v Extended
4Mb 512Kx8 MR25H40VDFR 8-DFN sf 3.3v Extended
4Mb 512Kx8 MR20H40CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial
4Mb 512Kx8 MR20H40CDFR 8-DFN sf 3.3V Industrial


本文关键词:MR25H40 

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