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Everspin MR2A16Axxx35可替换赛普拉斯CY14B104NA-BA

2020-04-09 09:34:29

 
用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替换赛普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM
 
用MRAM替换nvSRAM的一般注意事项
每次使用MRAM进行写操作都会立即保持至少20年的非易失性。没有数据从易失性存储单元传输到非易失性存储单元,也没有外部电容器或备用电池。消除了外部组件,高度可靠的数据保留以及35ns SRAM兼容的读/写访问时间,使Everspin MRAM成为替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行选择,而不会影响系统性能。
 
EVERSPIN内存
Everspin是商业上可行的MRAM技术的全球领导者,Everspin MRAM产品出现在数百个需要高速,可靠,非易失性存储器的应用中。
 
MR2A16A与CY14B104NA的比较
Everspin MRAM解决方案提供:
•始终非易失。没有不可靠的电容器相关备用周期
•不需要Vcap或Vbatt
•立即断电(<1ns),无数据丢失
•没有复杂的软件存储/调用例程
•快速启动时间(2ms和20ms)
•无限的读写周期-无磨损问题
•20年数据保留,无循环依赖
•更少的组件意味着更小的设计尺寸和更低的BOM成本
•直接替代赛普拉斯NV-SRAM
 
兼容性
Everspin MR2A16AxYS35(44-TSOP2)和MR2A16AxMA35(FBGA)存储器的引脚,时序和封装分别与CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。
 
时序兼容性
Everspin MRAM和nvSRAM都具有标准的兼容异步SRAM时序。但是MRAM即使在断电后无限制的时间和整个温度循环中也可以保留数据。 MRAM具有35 ns的读/写周期时间,与类似的nvSRAM速度等级选项兼容。
 
请务必注意,Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持时间,从写使能(和芯片使能)高到地址无效。大多数微处理器可以容纳这个保持时间。


Everspin MR2A16Axxx35x系列型号表格
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ(pcs)/ T&R
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V Commercial 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V Industrial 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP2 3.3V Extended 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP2 3.3V AEC-Q100 Grade 1 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V Commercial 2,000
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V Industrial 2,000
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V Extended 2,000


本文关键词: MRAM

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